分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)，通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字萬(wàn)用表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，又占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間；而且使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的不確定性及更慢的總線傳輸速度等缺點(diǎn)。實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載，其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、  波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作；半導(dǎo)體特性曲線測(cè)試儀IV掃描儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

產(chǎn)品特點(diǎn)
5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作           

內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測(cè)試，如LIV、PIV

源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.03%

四象限工作（源和肼），源及測(cè)量范圍：高至300V，低至3pA

豐富的掃描模式，支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描

支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告

支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)

技術(shù)參數(shù)

Z大輸出功率：30W，4象限源或肼模式；

源限度：電壓源：±10V（≤3A量程），±30V（≤1A量程），±300V（≤100mA量程）；

電流源：±3.15安（≤10V量程），±1.05安（≤30V量程），±105mA（≤300V量程）；

過(guò)量程： 105%量程，源和測(cè)量；

穩(wěn)定負(fù)載電容：<22nF；

寬帶噪聲(20MHz)：2mV RMS（典型值），<20mV  Vp-p（典型值）；

線纜保護(hù)電壓：輸出阻抗30KΩ，輸出電壓偏移<80uV；

Z大采樣速率：1000 S/s；

觸發(fā)：支持IO觸發(fā)輸入及輸出，觸發(fā)極性可配置；

輸出接口：前后面板香蕉頭插座輸出，同一時(shí)刻只能用前或者后面板接口；

通信口：RS-232、GPIB、以太網(wǎng)；

電源：AC 100~240V 50/60Hz；

工作環(huán)境：25±10℃；

尺寸：106mm高 × 255mm寬 ×425mm長(zhǎng)；

S系列源表應(yīng)用

分立器件特性測(cè)試：電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SiC、GaN等器件；
能量與效率特性測(cè)試：LED/AMOLED、太陽(yáng)能、電池、DC/DC轉(zhuǎn)換器；
傳感器特性測(cè)試：電阻率、霍爾效應(yīng)等；
有機(jī)材料特性測(cè)試：電子墨水、印刷電子技術(shù)等；
納米材料特性測(cè)試：石墨烯、納米線等；
激光器特性測(cè)試：窄脈沖LIV測(cè)試系統(tǒng)；
功率器件：靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)；
電流傳感器：動(dòng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)；