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50HZ工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀點擊次數(shù):158
發(fā)布時間:2024-10-01 06:50:02 |
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50HZ工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀1-2電橋的特點;l橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指零儀,外圍接線及少。
l電橋采用接觸電阻小,機械壽命長的十進開關,保證測量的穩(wěn)定性
l儀器具有雙屏蔽,能有效防止外部電磁場的干擾。
l儀器內(nèi)部電阻及電容元件經(jīng)特殊老化處理,使儀器技術性能穩(wěn)定可靠。
l內(nèi)附高壓電源精度3%
l內(nèi)附標準電容損耗﹤0.00005,名義值100pF
50HZ工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀
頻率范圍 10KHz-70MHz 10KHz-100MHz 100KHz-160MHz
Q值測量范圍 2~1023
Q值量程分檔 30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔
電感測量范圍 4.5nH-10mH 160M:1nH-140mH
電容直接測量范圍 1~460pF 160M:1pF-25uF
主電容調(diào)節(jié)范圍 30~540pF 160M:17-240pF
電容準確度 150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%
型號頻率指示誤差 1*10-6 ±1
Q值合格指示預置功能范圍 5~1000
使用條件 -15℃∽40℃ RH<80%

抗干擾原理 變頻法
電 源 AC 220V±10% 允許發(fā)電機
高壓輸出 0.5KV∽10KV 每隔0.1kV
電 源 AC 220V±10% 允許發(fā)電機
高壓輸出 0.5KV∽10KV 每隔0.1kV
精 度 2%
大電流 200mA
容 量 2000VA
自激電源 AC 0V∽50V/15A 50HZ、60HZ單頻
45HZ/55HZ 47.5HZ/52.5HZ
55HZ/65HZ 57.5HZ/62.5HZ
自動雙變頻
分 辨 率 tgδ: 0.001% Cx: 0.001pF
精 度 △tgδ:±(讀數(shù)*1.0%+0.040%)
△C x :±(讀數(shù)*1.0%+1.00PF)
測量范圍 tgδ 無限制
C x 15pF < Cx < 300nF
10KV Cx < 40 nF
5KV Cx < 150 nF
1KV Cx < 300 nF
CVT測試 Cx < 300 nF
外型尺寸(主機)(mm) 350(L)×270(W)×270(H)
外型尺寸(附件箱)(mm) 350(L)×270(W)×160(H)
存儲器大小 200 組 支持U盤數(shù)據(jù)存儲
重量(主機) 22.75Kg
重量(附件箱) 5.25Kg
精 度 2%
大電流 200mA
容 量 2000VA
自激電源 AC 0V∽50V/1 50HZ、60HZ單頻
45HZ/55HZ 47.5HZ/52.5HZ
55HZ/65HZ 57.5HZ/62.5HZ
自動雙變頻
9.分 辨 率 tgδ: 0.001% Cx: 0.001pF
7 精 度 △tgδ:±(讀數(shù)*1.0%+0.040%)
△C x :±(讀數(shù)*1.0%+1.00PF)
8 測量范圍 tgδ 無限制
C x 15pF < Cx < 300nF
10KV Cx < 40 nF
5KV Cx < 150 nF
1KV Cx < 300 nF
CVT測試 Cx < 300 nF
10 存儲器大小 200 組 支持U盤數(shù)據(jù)存儲
11 重量(主機) 22.75Kg
重量(附件箱) 5.25Kg
安全操作規(guī)程
1. 本儀器必須有專人負責保管,使用,非專職操作者應在使用前了解和熟悉本說明書,以免造成不必要的損失和事故。
2. 每次使用前應仔細檢查接地線是否完好,確保以后方可通電使用。
3. 接通電源前應將靈敏度開關調(diào)到低位置。
4. 測量試品前應先對試品進行高壓試驗,證明在電橋工作電壓下無噪聲,電離等現(xiàn)象出現(xiàn),然后才能進行測試(若試品己做過高壓試驗,該項可不必每次測量都做)。
5. 對試品施加高壓時緩慢升高,不可以加突變電壓。
6. 測試時操作人員必須集中思想,工作前做好一切準備工作,測試地點周圍應有明顯的標記或金屬屏蔽圍成高壓危險區(qū),以防止非操作人員闖入。
7. 在測量過程中,如有放電管發(fā)光時,則必須及時切斷電源,仔細檢查接線及試品都無擊穿,待檢查排除故障后,再進行高壓測量工作。
(f)介電常數(shù)(ε)的計算
ε=Cx×h/0.08854÷A
Cx---放入樣片后的電容量 單位(PF)
h---樣片的厚度 單位(cm)
四端對測試端。用于連接四端對測試夾具或測試電纜,對被測件進行測量。電流激勵高端(Hcur);
電壓取樣高端(Hpot); 電壓取樣低端(Lpot); 電流激勵低端(Lcur)。

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